Отпечатване на страница
BUB323ZT4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
1 274 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 1,610 |
| 500+ | € 1,500 |
| 1000+ | € 1,190 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 166,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяBUB323ZT4G
Код на поръчката1653614RL
Лист с технически данни
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max350V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo350V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE500hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
DC Current Gain hFE Min500hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
Приложения
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Технически характеристики
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
350V
Power Dissipation Pd
150W
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage Max
350V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
150W
RF Transistor Case
TO-263 (D2PAK)
DC Current Gain hFE
500hFE
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001911
Проследяване на продуктите