Отпечатване на страница
FDD9409-F085
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 90 A, 0.0023 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFDD9409-F085
Код на поръчката3003936
Продуктова гамаPowerTrench
Лист с технически данни
2 228 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,460 |
| 10+ | € 1,220 |
| 100+ | € 0,950 |
| 500+ | € 0,809 |
| 1000+ | € 0,761 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,46 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFDD9409-F085
Код на поръчката3003936
Продуктова гамаPowerTrench
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
QualificationAEC-Q101
Преглед на продукта
FDD9409-F085 is a N-channel PowerTrench® MOSFET. Application includes automotive engine control, powertrain management, solenoid and motor drivers, electronic steering, integrated starter/alternator, distributed Power Architectures and VRM, primary switch for 12V systems.
- Drain-to-source on resistance is 2.3mohm(typ, TJ = 25°C, ID = 80A, VGS= 10V)
- 42nC typical total gate charge at 10V (VGS = 0 to 10V, VDD = 20V, ID = 80A)
- 40V minimum drain-to-source breakdown voltage (ID = 250μA, VGS = 0V)
- 1μA maximum drain-to-source leakage current (TJ = 25°C, VDS = 40V, VGS = 0V)
- Gate-to-source leakage current is ±100nA (maximum, VGS = ±20V)
- Input capacitance is 3130pF (typical, VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Output capacitance is 756pF (typical, VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 2ohm (f = 1MHz, TJ = 25°C)
- Source-to-drain diode voltage is 1.25V (max, ISD = 80A, VGS = 0V)
- D-PAK(TO-252) package, operating and storage temperature range from -55 to + 175°C
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Технически документи (2)
Алтернативи за FDD9409-F085
8 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005
Проследяване на продуктите