Отпечатване на страница
FDMS3660S
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
8 571 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,450 |
| 10+ | € 1,160 |
| 100+ | € 0,990 |
| 500+ | € 0,903 |
| 1000+ | € 0,770 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,45 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFDMS3660S
Код на поръчката2322592
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0013ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0013ohm
Transistor Case StylePower 56
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
The FDMS3660S is a dual N-channel Asymmetric MOSFET suitable for use with computing, general purpose point of load and notebook VCORE applications. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
- Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- MOSFET integration enables optimum layout (lower circuit inductance & reduced switch node ringing)
Приложения
Industrial, Communications & Networking, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0013ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0013ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000113
Проследяване на продуктите