Отпечатване на страница
FFSH50120A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFFSH50120A
Код на поръчката2895625
Продуктова гамаEliteSiC Series
Лист с технически данни
1 660 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 20,530 |
| 5+ | € 20,350 |
| 10+ | € 20,160 |
| 50+ | € 11,710 |
| 100+ | € 11,490 |
| 250+ | € 11,270 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 20,53 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFFSH50120A
Код на поръчката2895625
Продуктова гамаEliteSiC Series
Лист с технически данни
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current50A
Total Capacitive Charge252nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Технически характеристики
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
252nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
50A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.006999
Проследяване на продуктите