Отпечатване на страница
FQB22P10TM
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
7 241 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 1,190 |
| 500+ | € 1,080 |
| 1000+ | € 0,902 |
| 5000+ | € 0,884 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 124,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFQB22P10TM
Код на поръчката2464133RL
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The FQB22P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 40nC typical low gate charge
- 160pF typical low Crss
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Технически документи (2)
Алтернативи за FQB22P10TM
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00208
Проследяване на продуктите