Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяMBT3946DW1T1G
Код на поръчката1459079RL
Продуктова гамаMJxxxx Series
Лист с технически данни
22 976 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
Количество | |
---|---|
500+ | € 0,0506 |
1500+ | € 0,039 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 500
Множествен: 5
€ 30,30 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяMBT3946DW1T1G
Код на поръчката1459079RL
Продуктова гамаMJxxxx Series
Лист с технически данни
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN150mW
Power Dissipation PNP150mW
DC Current Gain hFE Min NPN250hFE
DC Current Gain hFE Min PNP250hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP250MHz
Product RangeMJxxxx Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Приложения
Power Management, Industrial
Технически характеристики
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
150mW
DC Current Gain hFE Min PNP
250hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
250MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
150mW
DC Current Gain hFE Min NPN
250hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
MJxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Алтернативи за MBT3946DW1T1G
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.1
Проследяване на продуктите