Отпечатване на страница
MJD122T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
13 216 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,561 |
| 500+ | € 0,443 |
| 1000+ | € 0,398 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 61,10 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяMJD122T4G
Код на поръчката2317578RL
Лист с технически данни
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation20W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transition Frequency4MHz
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Приложения
Industrial, Power Management, Automotive
Технически характеристики
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
8A
DC Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
Power Dissipation
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Технически документи (2)
Алтернативи за MJD122T4G
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00033
Проследяване на продуктите