Отпечатване на страница
NDS332P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
26 064 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,276 |
| 500+ | € 0,217 |
| 1500+ | € 0,190 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 32,60 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNDS332P
Код на поръчката1471069RL
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Преглед на продукта
The NDS332P is a P-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications such as battery powered circuits where fast high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation
- Proprietary package design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите