Отпечатване на страница
NXH100B120H3Q0STG
IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH100B120H3Q0STG
Код на поръчката3265490
Продуктова гамаNXH100B120H3Q0
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 14 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 69,800 |
| 5+ | € 61,080 |
| 10+ | € 50,610 |
| 50+ | € 45,370 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 69,80 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH100B120H3Q0STG
Код на поръчката3265490
Продуктова гамаNXH100B120H3Q0
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Power Dissipation186W
Power Dissipation Pd186W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH100B120H3Q0
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation
186W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH100B120H3Q0
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0001
Проследяване на продуктите