Отпечатване на страница
NXH35C120L2C2S1G
IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 2.4 V, 20 mW, 150 °C, DIP
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH35C120L2C2S1G
Код на поръчката3617519
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH35C120L2C2S1G
Код на поръчката3617519
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Технически характеристики
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
35A
Power Dissipation
20mW
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (14-Jun-2023)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.1
Проследяване на продуктите