Отпечатване на страница
2N5485
RF FET Transistor, 10 mA, 350 mW, TO-92
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителя2N5485
Код на поръчката1467942
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id10mA
Power Dissipation350mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
-
Power Dissipation
350mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
10mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-92
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.44