Отпечатване на страница
BSS84
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
60 051 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,198 |
| 500+ | € 0,183 |
| 1500+ | € 0,164 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 24,80 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяBSS84
Код на поръчката1094997RL
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Преглед на продукта
The BSS84 is P channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance thus BSS84 are suited for low voltage, low current and switching applications.
- Voltage controlled P channel small signal switch
- High density cell design for low Rds(on)
- High saturation current capability
- Drain to source voltage (Vds) of -50V
- Gate source voltage of ±20V
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 10V
- Continuous drain current of -130mA
- Maximum power dissipation of 360mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (3)
Алтернативи за BSS84
8 Намерени продукта
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (23-Jan-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000033
Проследяване на продуктите