Отпечатване на страница
FDMQ8403
Dual MOSFET, Quad N Channel, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFDMQ8403
Код на поръчката3003989
Продуктова гамаPowerTrench GreenBridge Series
Лист с технически данни
15 252 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 3,810 |
| 50+ | € 2,530 |
| 100+ | € 1,900 |
| 500+ | € 1,560 |
| 1500+ | € 1,520 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 19,05 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFDMQ8403
Код на поръчката3003989
Продуктова гамаPowerTrench GreenBridge Series
Лист с технически данни
Channel TypeQuad N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel17W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench GreenBridge Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
FDMQ8403 is a MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®,Greenbridge™ series of high-efficiency bridge rectifier. This quad MOSFET solution provides ten−fold improvement in power dissipation over diode bridge. Application includes high efficiency bridge rectifiers.
- 85mohm typical static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 3A)
- Substantial efficiency benefit in PD solutions
- Gate to source voltage is ±20V, 1nA maximum zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 80V)
- 2.8V typical drain to source breakdown voltage (VGS = VDS, ID = 250µA)
- 6S typical forward transconductance (VDS = 10V, ID = 3A)
- 4.1ns typical turn on delay time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 1.2ns typical rise time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 0.9nC typical gate to source charge (VDD = 50V, ID = 3A)
- 33ns typical reverse recovery time (IF = 3A, di/dt = 100 A/µs)
- WDFN12 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
PowerTrench GreenBridge Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005
Проследяване на продуктите