Отпечатване на страница
FQA10N80.
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 9.8 A, 1.05 ohm, TO-3P, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяFQA10N80.
Код на поръчката3944517
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source On State Resistance1.05ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation240W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.05ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS съвместим:В очакване на инструкции
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (15-Jan-2018)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.006