Отпечатване на страница
NGTB03N60R2DT4G
IGBT, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNGTB03N60R2DT4G
Код на поръчката2492864RL
Лист с технически данни
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNGTB03N60R2DT4G
Код на поръчката2492864RL
Лист с технически данни
Continuous Collector Current9A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation49W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Технически характеристики
Continuous Collector Current
9A
Power Dissipation
49W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001828
Проследяване на продуктите