Отпечатване на страница
NIF5002NT1G
Power MOSFET, N Channel, 42 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNIF5002NT1G
Код на поръчката1453669
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds42V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.165ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Алтернативи за NIF5002NT1G
2 Намерени продукта
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
42V
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Технически документи (1)
Сродни продукти
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000124