Отпечатване на страница
NTA4001NT1G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SC-75, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 19 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0527 |
| 9000+ | € 0,0383 |
Цена за:Each (Supplied on Full Reel)
Минимален: 3000
Множествен: 3000
€ 158,10 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNTA4001NT1G
Код на поръчката2442173
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id238mA
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSC-75
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
NTA4001NT1G is a single, N-channel, gate ESD protection, small signal, MOSFET. The applications include power management load switch, level shift, and portable applications such as cell phones, media players, digital cameras, PDAs, video games, handheld computers, etc.
- Low gate charge for fast switching
- Small 1.6 x 1.6 mm footprint, ESD protected gate
- Drain-to-source breakdown voltage is 20V min (VGS = 0V, ID = 100A, TJ = 25°C)
- Gate threshold voltage range from 0.5 to 1.5V (VDS = 3V, ID = 100µA, TJ = 25°C)
- Pulsed drain current is 714mA (tP <lt/>10µs, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 80mS typ (VDS = 3V, ID = 10mA, TJ = 25°C)
- Reverse transfer capacitance is 3.5pF typ (VDS = 5V, f = 1MHz, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Forward diode voltage is 0.66V typ (VGS = 0V, IS = 10mA, TJ = 25°C)
- SC-75 package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
238mA
Transistor Case Style
SC-75
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Алтернативи за NTA4001NT1G
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001
Проследяване на продуктите