Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH35C120L2C2ESG
Код на поръчката3464032
Лист с технически данни
3 В наличност
Имате нужда от повече?
.
.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 53,630 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 53,63 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяNXH35C120L2C2ESG
Код на поръчката3464032
Лист с технически данни
Transistor PolaritySix N Channel
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Continuous Collector Current35A
DC Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleDIP
No. of Pins26Pins
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Transistor Polarity
Six N Channel
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
150°C
No. of Pins
26Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
DIP
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (15-Jan-2018)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002
Проследяване на продуктите