Отпечатване на страница
QRD1113
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
112 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,070 |
| 10+ | € 0,911 |
| 25+ | € 0,898 |
| 50+ | € 0,884 |
| 100+ | € 0,871 |
| 500+ | € 0,810 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,07 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяQRD1113
Код на поръчката1467857
Лист с технически данни
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Supply Voltage Min-
Sensing Distance1.27mm
Forward Current If50mA
Supply Voltage Max-
Reverse Voltage Vr5V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Current IC Max0.3mA
Forward Voltage1.7V
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
The QRD1113 is a 1.27mm Reflective Object Sensor with an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face. The phototransistor responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- No-contact surface sensing
- Unfocused for sensing diffused surfaces
- Daylight filter on sensor
- -40 to 85°C Operating temperature range
Приложения
Sensing & Instrumentation
Технически характеристики
Sensing Method
Reflective
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Collector Current IC Max
0.3mA
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.7V
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000431
Проследяване на продуктите