Отпечатване на страница
BSM400D12P2G003
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителROHM
Част № на производителяBSM400D12P2G003
Код на поръчката3573228
Лист с технически данни
4 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1 823,000 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1 823,00 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителROHM
Част № на производителяBSM400D12P2G003
Код на поръчката3573228
Лист с технически данни
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.45kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Преглед на продукта
BSM400D12P2G003 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 2.3V on-state static drain-source voltage (typ, Tj=25°C, ID=400A, VGS=18V)
- 397A drain current (DC(Tc=60°C) VGS=18V)
- 4mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 1.8V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=400A, Tj=25°C)
- 38nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V,200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Технически характеристики
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
400A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
2.45kW
Product Range
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (23-Jan-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.28