Отпечатване на страница
SKHI 22A H4 R
IGBT Driver, Half Bridge, 8 A, 14.4 V to 15.6 V, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKHI 22A H4 R
Код на поръчката2423646
Продуктова гамаSEMIDRIVER Series
Лист с технически данни
57 В наличност
12 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 231,340 |
| 5+ | € 228,830 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 231,34 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKHI 22A H4 R
Код на поръчката2423646
Продуктова гамаSEMIDRIVER Series
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current-
Collector Emitter Saturation Voltage-
Driver ConfigurationHalf Bridge
Power Switch TypeIGBT
Power Dissipation-
Operating Temperature Max85°C
IC Case / PackageModule
Transistor Case StyleSMD
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT Technology-
Transistor MountingSurface Mount
Supply Voltage Min14.4V
Product RangeSEMIDRIVER Series
Supply Voltage Max15.6V
Operating Temperature Min-40°C
Input Delay1µs
Output Delay1µs
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Преглед на продукта
SKHI 22A H4 R is a SEMIDRIVER™ hybrid dual IGBT driver. It is used for IGBT modules in bridge circuits in industrial applications.
- Compatible to old SKHI 22, turn on gate voltage output is 15V typical
- CMOS compatible inputs, turn off gate voltage output is -7V typical
- Short protection by VCE monitoring and switch off
- Drive interlock top/bottom, internal gate emitter resistance is 22Kohm typical
- Isolation by transformers, input to output turn on propagation time is 1µs typical
- Supply undervoltage protection (13V)
- Error latch/output, error reset time is 9µs typical
- Supply voltage primary side is 15V typical
- Supply current primary side (no load) is 80mA typical
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
Технически характеристики
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
-
Power Switch Type
IGBT
Operating Temperature Max
85°C
Transistor Case Style
SMD
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SEMIDRIVER Series
Operating Temperature Min
-40°C
Output Delay
1µs
Continuous Collector Current
-
Driver Configuration
Half Bridge
Power Dissipation
-
IC Case / Package
Module
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Supply Voltage Min
14.4V
Supply Voltage Max
15.6V
Input Delay
1µs
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (15-Jun-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.061991