Отпечатване на страница
SKM150GB12T4G
IGBT Module, Half Bridge, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM150GB12T4G
Код на поръчката2423688
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 138,620 |
| 5+ | € 128,390 |
| 10+ | € 117,230 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 138,62 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM150GB12T4G
Код на поръчката2423688
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Collector Current223A
DC Collector Current223A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Преглед на продукта
The SKM150GB12T4G is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Приложения
Power Management, Maintenance & Repair
Технически характеристики
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
223A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
175°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
223A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Технически документи (2)
Алтернативи за SKM150GB12T4G
2 Намерени продукта
Сродни продукти
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.18
Проследяване на продуктите