Отпечатване на страница
SKM195GB066D
IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM195GB066D
Код на поръчката2423691
Лист с технически данни
5 В наличност
16 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 116,420 |
| 5+ | € 109,510 |
| 10+ | € 101,600 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 116,42 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM195GB066D
Код на поръчката2423691
Лист с технически данни
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current265A
DC Collector Current265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Преглед на продукта
The SKM195GB066D is a SEMITRANS® 2 Trench IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features VCE(sat) with positive temperature coefficient and high short-circuit capability, self limiting to 6 x IC.
- Half-bridge switch
- Homogeneous Si
- Trench-gate technology
Приложения
Power Management, Maintenance & Repair
Технически характеристики
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.18