Отпечатване на страница
SKM200GB125D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM200GB125D
Код на поръчката2423692
Лист с технически данни
1 В наличност
10 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 316,410 |
| 5+ | € 315,870 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 316,41 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM200GB125D
Код на поръчката2423692
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current200A
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Преглед на продукта
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
Технически характеристики
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Технически документи (2)
Алтернативи за SKM200GB125D
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.18
Проследяване на продуктите