Отпечатване на страница
SKM200GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM200GB12E4
Код на поръчката2423693
Лист с технически данни
9 В наличност
12 Можете да резервирате наличност сега
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 197,140 |
| 5+ | € 192,210 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 197,14 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM200GB12E4
Код на поръчката2423693
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current313A
Continuous Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Преглед на продукта
The SKM200GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Приложения
Power Management
Технически характеристики
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Технически документи (1)
Алтернативи за SKM200GB12E4
6 Намерени продукта
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.18
Проследяване на продуктите