Отпечатване на страница
SKM200GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 311 A, 1.75 V, 175 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM200GB12V
Код на поръчката2423695
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 26 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 237,930 |
| 5+ | € 231,970 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 237,93 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM200GB12V
Код на поръчката2423695
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current311A
Continuous Collector Current311A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
Преглед на продукта
The SKM200GB12V is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Приложения
Power Management, Maintenance & Repair
Технически характеристики
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
311A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
311A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Технически документи (2)
Алтернативи за SKM200GB12V
4 Намерени продукта
Сродни продукти
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.453592
Проследяване на продуктите