Отпечатване на страница
SKM400GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 612 A, 1.75 V, 175 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM400GB12V
Код на поръчката2423702
Лист с технически данни
24 В наличност
Имате нужда от повече?
.
.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 351,370 |
| 5+ | € 344,340 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 351,37 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM400GB12V
Код на поръчката2423702
Лист с технически данни
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current612A
Continuous Collector Current612A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
Преглед на продукта
The SKM400GB12V is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Приложения
Power Management, Maintenance & Repair
Технически характеристики
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
612A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
612A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Технически документи (2)
Алтернативи за SKM400GB12V
3 Намерени продукта
Сродни продукти
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.18