Отпечатване на страница
GD1400HFX170P2S
IGBT Module, Half Bridge, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTARPOWER
Част № на производителяGD1400HFX170P2S
Код на поръчката3549224
Лист с технически данни
2 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 528,300 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 528,30 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTARPOWER
Част № на производителяGD1400HFX170P2S
Код на поръчката3549224
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current2.342kA
DC Collector Current2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Power Dissipation9.37kW
Power Dissipation Pd9.37kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Power Dissipation Pd
9.37kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.95V
Power Dissipation
9.37kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.3