Отпечатване на страница
GD150HFY120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTARPOWER
Част № на производителяGD150HFY120C1S
Код на поръчката2986061
Лист с технически данни
21 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 55,170 |
| 5+ | € 52,000 |
| 10+ | € 48,630 |
| 50+ | € 46,870 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 55,17 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTARPOWER
Част № на производителяGD150HFY120C1S
Код на поръчката2986061
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current230A
DC Collector Current230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation746W
Power Dissipation Pd746W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
746W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
746W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Технически документи (1)
Алтернативи за GD150HFY120C1S
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.152861