Отпечатване на страница
GD650HFX170P1S
IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTARPOWER
Част № на производителяGD650HFX170P1S
Код на поръчката3549271
Лист с технически данни
1 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 284,990 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 284,99 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTARPOWER
Част № на производителяGD650HFX170P1S
Код на поръчката3549271
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current1.073kA
DC Collector Current1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.9V
Power Dissipation Pd4.2kW
Power Dissipation4.2kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.9V
Power Dissipation
4.2kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Power Dissipation Pd
4.2kW
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.2