Отпечатване на страница
LET9045F
RF FET Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяLET9045F
Код на поръчката2341740
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяLET9045F
Код на поръчката2341740
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id9A
Power Dissipation108W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleM250
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
80V
Power Dissipation
108W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Continuous Drain Current Id
9A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
M250
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Morocco
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Morocco
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.004536