Отпечатване на страница
PD57018-E
RF FET Transistor, 65 V, 2.5 A, 31.7 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяPD57018-E
Код на поръчката2807339
Лист с технически данни
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяPD57018-E
Код на поръчката2807339
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id2.5A
Power Dissipation31.7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max945MHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
31.7W
Operating Frequency Max
945MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0023
Проследяване на продуктите