Отпечатване на страница
PD57018
RF FET Transistor, 65 V, 2.5 A, 18 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяPD57018
Код на поръчката8185107
Лист с технически данни
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяPD57018
Код на поръчката8185107
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id2.5A
Power Dissipation18W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins10Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
18W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
10Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Italy
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Italy
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS съвместим:В очакване на инструкции
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.02