Отпечатване на страница
PD85004
RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяPD85004
Код на поръчката2629762
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяPD85004
Код на поръчката2629762
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation6W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
6W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-89
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000106