Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTB28N65M2
Код на поръчката3129916RL
Продуктова гамаMDmesh M2
Лист с технически данни
2 686 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
Количество | |
---|---|
100+ | € 2,030 |
500+ | € 1,630 |
1000+ | € 1,440 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 208,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTB28N65M2
Код на поръчката3129916RL
Продуктова гамаMDmesh M2
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd170W
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
170W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Алтернативи за STB28N65M2
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00035
Проследяване на продуктите