Отпечатване на страница
STB46NF30
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 42 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTB46NF30
Код на поръчката2807184
Продуктова гамаSTripFET II
Лист с технически данни
2 916 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 4,540 |
| 10+ | € 3,050 |
| 100+ | € 2,170 |
| 500+ | € 2,050 |
| 1000+ | € 1,690 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 4,54 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTB46NF30
Код на поръчката2807184
Продуктова гамаSTripFET II
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET II
Qualification-
Преглед на продукта
STB46NF30 is a N-channel STripFET™ II power MOSFET. It has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC/DC converter for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements. Suitable for switching applications.
- Exceptional dv/dt capability, 100% avalanche tested, low gate charge
- 300V min drain-source voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TC = 25°C)
- 0.063ohm typ static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A, TC = 25°C)
- 42A drain current (continuous) at TC = 25°C, 300W total dissipation (TC = 25°C)
- 1oµA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 300V, TC = 125°C)
- 3200pF typ input capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 442pF typ output capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 38ns typ rise time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 46ns typ fall time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- D²PAK package, operating junction temperature range from -55 to 175°C
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0023
Проследяване на продуктите