Отпечатване на страница
STGWA40H65DFB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTGWA40H65DFB2
Код на поръчката3387279
Продуктова гамаHB2
Лист с технически данни
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTGWA40H65DFB2
Код на поръчката3387279
Продуктова гамаHB2
Лист с технически данни
Continuous Collector Current72A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation230W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247LL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
Технически характеристики
Continuous Collector Current
72A
Power Dissipation
230W
Transistor Case Style
TO-247LL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (23-Jan-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0061
Проследяване на продуктите