Отпечатване на страница
STGWT15H60F
IGBT, Trench Gate, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTGWT15H60F
Код на поръчката2797965
Продуктова гамаH
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTGWT15H60F
Код на поръчката2797965
Продуктова гамаH
Лист с технически данни
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation115W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Технически характеристики
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
115W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
H
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:South Korea
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00443
Проследяване на продуктите