Отпечатване на страница
STP20NM60FD
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTP20NM60FD
Код на поръчката9935576
Лист с технически данни
13 284 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 5,140 |
| 10+ | € 3,240 |
| 100+ | € 3,110 |
| 500+ | € 2,820 |
| 1000+ | € 2,810 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 5,14 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTP20NM60FD
Код на поръчката9935576
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation192W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The STP20NM60FD is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The FDmesh™ associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Алтернативи за STP20NM60FD
5 Намерени продукта
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002