STQ1NK60ZR-AP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 400 mA, 13 ohm, TO-92, Through Hole
Имате нужда от повече?
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 0,473 |
| 10+ | € 0,322 |
| 100+ | € 0,248 |
| 500+ | € 0,236 |
| 1000+ | € 0,234 |
| 5000+ | € 0,179 |
Информация за продукта
Преглед на продукта
The STQ1NK60ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
Приложения
Industrial, Power Management
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
N Channel
400mA
TO-92
10V
3W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
600V
13ohm
Through Hole
3.75V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Алтернативи за STQ1NK60ZR-AP
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
RoHS
RoHS
Сертификат за съответствие на продукта