Отпечатване на страница
STW45N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTW45N65M5
Код на поръчката2784047
Продуктова гамаMDmesh V
Лист с технически данни
3 903 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 5,730 |
| 5+ | € 4,990 |
| 10+ | € 4,250 |
| 50+ | € 3,910 |
| 100+ | € 3,780 |
| 250+ | € 3,640 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 5,73 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTW45N65M5
Код на поръчката2784047
Продуктова гамаMDmesh V
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
Преглед на продукта
- 650V, 35A N-channel MDmesh™ V power MOSFET in 3 pin TO-247 package
- Worldwide best RDS(on) area
- Higher VDSS rating and high dv/dt capability
- Excellent switching performance
- 100% avalanche tested
- Suitable for switching applications
- Based on innovative proprietary vertical process technology, PowerMESH™ horizontal layout structure
- Suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Алтернативи за STW45N65M5
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000002
Проследяване на продуктите