Отпечатване на страница
STY112N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTY112N65M5
Код на поръчката2098403
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 19 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 29,840 |
| 5+ | € 26,550 |
| 10+ | € 23,260 |
| 50+ | € 22,790 |
| 100+ | € 22,540 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 29,84 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяSTY112N65M5
Код на поръчката2098403
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id96A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleMAX-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Преглед на продукта
The STY112N65M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFET, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Higher VDSS rating
- Higher dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
96A
Transistor Case Style
MAX-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.007632
Проследяване на продуктите