Отпечатване на страница
VND7NV04TR-E
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяVND7NV04TR-E
Код на поръчката2341723
Лист с технически данни
5 532 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 2,170 |
| 10+ | € 1,560 |
| 100+ | € 1,130 |
| 500+ | € 0,904 |
| 1000+ | € 0,882 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 2,17 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителSTMICROELECTRONICS
Част № на производителяVND7NV04TR-E
Код на поръчката2341723
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
MSL-
Преглед на продукта
- 45V, 12A N-channel OMNIFET II fully autoprotected power MOSFET in 3 pin TO-252 package
- Linear current limitation
- Built-in thermal shutdown, short circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European directive
- Intended for replacement of standard power MOSFETs from DC up to 50KHz applications
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000409