Отпечатване на страница
XP231N02015R-G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителTOREX
Част № на производителяXP231N02015R-G
Код на поръчката3577868RL
Продуктова гамаXP231N0201xx-G
Лист с технически данни
Опции за опаковка
5 235 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,0972 |
| 500+ | € 0,0929 |
| 1000+ | € 0,0886 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 9,72 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителTOREX
Част № на производителяXP231N02015R-G
Код на поръчката3577868RL
Продуктова гамаXP231N0201xx-G
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3ohm
On Resistance Rds(on)3ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation350mW
Power Dissipation Pd350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP231N0201xx-G
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP231N0201xx-G
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
Power Dissipation Pd
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001