Отпечатване на страница
GT10J303
IGBT, 10 A, 2.7 V, 30 W, 600 V, TO-220NIS, 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителTOSHIBA
Част № на производителяGT10J303
Код на поръчката1300807
Лист с технически данни
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation30W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220NIS
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Технически характеристики
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
30W
Transistor Case Style
TO-220NIS
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0019