Отпечатване на страница
GT25Q102
IGBT, 25 A, 2.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителTOSHIBA
Част № на производителяGT25Q102
Код на поръчката1300802
Лист с технически данни
Continuous Collector Current25A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Технически характеристики
Continuous Collector Current
25A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Japan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00975