Отпечатване на страница
OPB706B
Reflective Photo Interrupter, OPB706 Series, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 2 Vr
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Част № на производителяOPB706B
Код на поръчката4890991
Лист с технически данни
49 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 2,280 |
| 10+ | € 2,240 |
| 25+ | € 2,190 |
| 50+ | € 2,150 |
| 100+ | € 2,100 |
| 500+ | € 2,060 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 2,28 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Част № на производителяOPB706B
Код на поръчката4890991
Лист с технически данни
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width1.27mm
Sensing Distance1.27mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If50mA
Reverse Voltage Vr2V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage V(br)ceo24V
Collector Emitter Voltage Max30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max25mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Преглед на продукта
The OPB706B series Reflective Object Sensor that consists of an infrared Light Emitting Diode (LED) and an NPN silicon Phototransistor mounted “side-by-side” on parallel axes in a black plastic housing. On the sensor, the LED and Phototransistor are molded using dark infrared transmissive plastic to reduce ambient light noise. The Phototransistor, responds to light from the emitter when a reflective object passes within its field of view of the device.
- Phototransistor output
- Unfocused for sensing diffuse surface
- Plastic housing
- Designed for use with PCB or connectors
- Strong on dust and dirt
- Stronger noise resistance
- Strong even in cold environments
- Beam axis alignment made easy with a high luminance spot beam
- Reduction of volume adjustment labour
- Can be used for sensing minute differences
- BGS/FGS functions
Приложения
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Safety, Industrial
Технически характеристики
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
2V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
24V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
1.27mm
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
30V
Collector Current IC Max
25mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000726
Проследяване на продуктите