Отпечатване на страница
D2019UK
RF FET Transistor, 65 V, 1 A, 17.5 W, 50 MHz, 2 GHz, SOIC
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителTT ELECTRONICS / SEMELAB
Част № на производителяD2019UK
Код на поръчката1856794
Лист с технически данни
Вече не се поддържа на склад
Информация за продукта
ПроизводителTT ELECTRONICS / SEMELAB
Част № на производителяD2019UK
Код на поръчката1856794
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id1A
Power Dissipation17.5W
Operating Frequency Min50MHz
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
17.5W
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
1A
Operating Frequency Min
50MHz
Transistor Case Style
SOIC
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (1)
Сродни продукти
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Great Britain
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Great Britain
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001