Отпечатване на страница
IRF9Z30PBF
Power MOSFET, HEXFET, P Channel, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
567 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 2,590 |
| 10+ | € 1,050 |
| 100+ | € 1,010 |
| 500+ | € 0,985 |
| 1000+ | € 0,976 |
| 5000+ | € 0,904 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 2,59 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяIRF9Z30PBF
Код на поръчката2547298
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Преглед на продукта
The IRF9Z30PBF is a P-channel enhancement-mode Power MOSFET designed for application which require the convenience of reverse polarity operation. This device design achieve very low ON-state resistance combined with high trans-conductance and extreme device ruggedness. It is intended for use in power stages where complementary symmetry with n-channel devices offer circuit simplification. It is also very useful in drive stages because of the circuit versatility offered by the reverse polarity connection.
- Fast switching
- Compact plastic package
- Low drive current
- Ease of paralleling
- Excellent temperature stability
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Сродни продукти
7 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002