Отпечатване на страница
IRFU120PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
1 718 В наличност
Имате нужда от повече?
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 0,972 |
| 10+ | € 0,471 |
| 100+ | € 0,451 |
| 500+ | € 0,406 |
| 1000+ | € 0,398 |
| 5000+ | € 0,394 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 0,97 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяIRFU120PBF
Код на поръчката8658919
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7.7A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The IRFU120PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Dynamic dV/dt rating
- Ease of paralleling
- Straight lead
- Repetitive avalanche rated
Приложения
Industrial, Power Management
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.7A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Y-Ex
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):Lead (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0004
Проследяване на продуктите